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应用领域

集成电路 IC、微机电系统 MEMS、功率器件 POWER


适用工艺:

二氧化硅(LTO、TEOS)、氮化硅(Si3N4)、多晶硅(LP-POLY)、磷硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜


产品优势:

  • 独特的进气方式和分布,保证工艺成膜均匀性和重复性
  • 成熟的工艺控制满足客户对TEOS低压热解法、常规氮化硅和低应力氮化硅、不同成膜速率多晶硅等不同LPCVD工艺高端需求
  • 冷阱、粉尘过滤等特殊设计,提高设备腔室和器件洁净度,易于维护,PM间隔长。
  • 良好的颗粒控制技术
  • 特殊炉体设计,低能耗,高精度温度场控制,具有良好的温度重复性
  • 模块化部件设计,便于在洁净室内安装与启动生产
  • 软件符合semi标准,功能齐全、界面友好,具备MES功能(可选项)
  • 具有多种安全报警保护、安全互锁、历史记录、操作日志查询功能


LPCVD
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