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垂直氧化扩散炉
主要用途：半导体制造中的热氧化、掺杂扩散、退火等，适用于6～12英寸晶圆或多片晶圆的批量处理
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应用场景：
集成电路制造 | CMOS栅极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成 |
功率半导体制造 | IGBT器件的场氧生长、MOSFET栅极氧化层制备、功率二极管PN结形成 |
先进封装 | TSV硅通孔氧化绝缘层制备、晶圆级封装的介质层生长 |
新型半导体材料 | SiC器件栅氧生长、GaN器件表面钝化、三代半导体材料掺杂工艺 |
MEMS制造 | MEMS结构层的热氧化、传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺 |
