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垂直LPCVD设备
主要用途：低压环境通过化学反应沉积Poly、SIN、SIO2等薄膜，适用6～12英寸晶圆介质层、钝化层和结构层沉积
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应用场景：
集成电路制造 | 多晶硅栅极沉积、氮化硅钝化层沉积、二氧化硅介质层沉积 |
功率半导体制造 | SiC器件的钝化层沉积、GaN器件的介质层制备 |
先进封装 | TSV（硅通孔）绝缘层沉积、晶圆级封装的介质层生长 |
MEMS制造 | MEMS结构层的薄膜沉积、传感器的保护层制备 |
新型材料研发 | 二维材料（如石墨烯、碳纳米管）的薄膜沉积、第三代半导体的钝化层制备 |
