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半导体工艺设备
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半导体工艺设备

  • 水平氧化扩散炉

    半导体制造中的热氧化，掺杂扩散、退火等，适用于4~8英寸晶圆或多片品圆的批量处理

  •

    水平LPCVD设备

    低压环境通过化学反应沉积Poly、SIN、SI02等薄膜，适用于4~8英寸晶圆介质层、钝化层和结构层沉积

  •

    垂直氧化扩散炉

    半导体制造中的热氧化、掺杂扩散、退火等，适用于8~12英寸晶圆或多片晶圆的批量处理

  •

    垂直LPCVD设备

    低压环境通过化学反应沉积Poly、SIN、SI02等薄膜，适用8~12英寸晶圆介质层、钝化层和结构层沉积

  •

    快速退火炉

    快速高温加热，用于激活掺杂、修复晶格损伤、形成金属硅化物及优化薄膜特性

  •

    真空合金炉

    真空或保护气氛环境下进行高温合金化工艺，用于欧姆接触、金属硅化物制备及材料合金化

  •

    链式烧结炉

    用于半导体、光伏及电子元器件制造中的连续烧结工艺，通过高温加热使材料或结构实现致密化、合金化或键合，适用于大批量生产，具有高效、均匀和稳定的特点

  •

    甲酸炉

    在甲酸(HCOOH)气氛下进行低温还原和表面处理工艺，主要用于去除金属表面的氧化物、改善键合性能以及提高封装可靠性，具有高效、环保和低温处理的优势

  •

    HVPE/THVPE设备

    用于实现化合物半导体材料的外延生长

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周一至周日  24H
官方邮箱：goldliton@126.com
地        址：中国青岛（上合示范区）新东路6号




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