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垂直LPCVD设备

  



        ★ 集成电路制造:  多晶硅栅极沉积、氮化硅钝化层沉积、二氧化硅介质层沉积

       ★ 功率半导体制造:  SiC器件的钝化层沉积、GaN器件的介质层制备

         ★ MEMS 制造:   MEMS结构层的薄膜沉积、传感器的保护层制备

         ★ 新型材料研发:    二维材料(如石墨烯、碳纳米管)的薄膜沉积、第三代半导体的钝化层制备

       ★ 精密医疗器件制造:   在微型医疗器械表面沉积绝缘薄膜或导电薄膜,实现器件的电学绝缘导电或传感功能




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水平氧化扩散炉



集成电路   制造:CMOS棚极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成

功率半导体制造:IG8T器件的场氧生长、MOSFET棚极氧化层制备、功率二极管PN结形成

新型半导体材料:5iC器件栅氧生长、GaN器件表面纯化、三代半导体材料掺杂工艺

MEMS     制造:MEMS结构层的热氧化,传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺









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