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垂直氧化扩散炉★ 集成电路制造:CMOS棚极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成 ★ 功率半导体制造:IG8T器件的场氧生长、MOSFET棚极氧化层制备、功率二极管PN结形成 ★ 新型半导体材料:5iC器件栅氧生长、GaN器件表面纯化、三代半导体材料掺杂工艺 ★ MEMS制造MEMS结构层的热氧化,传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺
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垂直氧化扩散炉★ 集成电路制造:CMOS棚极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成 ★ 功率半导体制造:IG8T器件的场氧生长、MOSFET棚极氧化层制备、功率二极管PN结形成 ★ 新型半导体材料:5iC器件栅氧生长、GaN器件表面纯化、三代半导体材料掺杂工艺 ★ MEMS制造MEMS结构层的热氧化,传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺
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