★ 支持定制各种备品备件：碳化硅件，石英件等，满足4-12英寸设备需求
集成电路 制造：CMOS棚极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成
功率半导体制造：IG8T器件的场氧生长、MOSFET棚极氧化层制备、功率二极管PN结形成
新型半导体材料：5iC器件栅氧生长、GaN器件表面纯化、三代半导体材料掺杂工艺
MEMS 制造：MEMS结构层的热氧化，传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺
模块化、自动化可扩展、高可靠
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