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快速退火炉




         ★  集成电路制造:  离子注入后退火;金属硅化物形成;超浅结退火;栅极氧化层优化

           功率半导体制造:iC和GaN器件高温退火;掺杂激活与缺陷修复

         ★  先进封装:晶圆级封装的快速热处理;TSV(硅通孔)工艺中的退火

           新型材料研发:二维材料(如石墨烯、碳纳米管)的快速退火;第三代半导体(如SiC、GaN)的热处理

           MEMS 制造:MEMS器件的快速退火工艺;传感器的掺杂激活与性能优化


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水平氧化扩散炉



集成电路   制造:CMOS棚极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成

功率半导体制造:IG8T器件的场氧生长、MOSFET棚极氧化层制备、功率二极管PN结形成

新型半导体材料:5iC器件栅氧生长、GaN器件表面纯化、三代半导体材料掺杂工艺

MEMS     制造:MEMS结构层的热氧化,传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺









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地        址:
中国青岛(上合示范区)新东路6号




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