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单晶氧化退火炉




   ★ 直拉单晶(CZ法)制造:晶体生长后热处理、氧沉淀控制、掺杂均匀性优化

   ★ 区熔单晶(FrZ法)制造:缺陷修复、氧含量调节、表面钝化

   ★ 大尺寸单晶硅片加工:晶圆预处理、表面氧化层生长

   ★ 高质量单晶研发:新型单晶材料的氧化退火工艺研究;大尺寸单晶硅的性能优化与缺陷控制

   ★ 样片检测:硅单晶片缺陷检测



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水平氧化扩散炉



集成电路   制造:CMOS棚极氧化、存储器芯片介质层生长、DRAM电容介质形成

功率半导体制造:IG8T器件的场氧生长、MOSFET棚极氧化层制备、功率二极管PN结形成

新型半导体材料:5iC器件栅氧生长、GaN器件表面纯化、三代半导体材料掺杂工艺

MEMS     制造:MEMS结构层的热氧化,传感器介质层制备、微机械结构的掺杂工艺









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中国青岛(上合示范区)新东路6号




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